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參數(shù)資料
| 型號： | FXT651 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | FXT651 |
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
*
60 Volt V
CEO
*
2 Amps continuous current
*
Low saturation voltage
*
P
tot
= 1 Watt
REFER TO ZTX651 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
80
V
Collector-Emitter Voltage
60
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
6
A
Continuous Collector Current
2
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
80
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
60
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.1
10
μ
A
μ
A
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=60V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.12
0.23
0.3
0.5
V
V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=2A, I
B
=200mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
1.25
V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.8
1
V
IC=1A, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
70
100
80
40
200
200
170
80
300
I
C
=50mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
Transition
Frequency
f
T
140
175
MHz
I
=100mA, V
CE
=5V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
30
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
FXT651
3-47
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT655 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| FXxxx | FX1S |
| FX1N | FX1S |
| FX1S | FX1S |
| FX2N | FX1S |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FXT651SM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
| FXT651SMSTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT651SMSTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT651SMSTZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT651STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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