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參數(shù)資料
| 型號： | FZ50S5G2 |
| 廠商： | FCT ELECTRONIC GMBH |
| 元件分類： | D-微型連接器 |
| 英文描述： | 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 1186K |
| 代理商： | FZ50S5G2 |
ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS - VALUES FOR INCHES IN BRACKETS - TECHNICAL DATA SUBJECT TO CHANGE
11
DS 10/2007
Contact Arrangements
Polbilder
Face view of pin connector
Blick auf Steckseite Stiftsteckverbinder
Face view of socket connector
Blick auf Steckseite Buchsensteckverbinder
Technical Data
Technische Daten
Modifications
Modifikationen
All FCT D-Sub connectors (including crimp versions etc.) are available in many different combinations of materials and platings. For example, shells can
be supplied in a non – magnetic version made of brass, which can be electroless nickel, or gold plated for use in aerospace technology.
Alle FCT D-Sub Steckverbinder (auch Crimp Versionen, usw.) sind in vielen verschiedenen Material- und Oberflchenkombinationen erhltlich. So z. B.
Gehuse in nichtmagnetischer Ausführung aus Messing bzw. chemisch vernickelte oder vergoldete Gehuse für Luft- und Raumfahrtanwendungen.
Shell Size
Number of Contacts
Pin Connector, Connecting Side
Gehusegre
Polzahl
Stiftsteckverbinder, Ansicht steckseitig
1
9
2
15
3
25
4
37
5
50
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZ50S5G3 | 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| FZ50S5RG1 | 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| FZ50S5RG2 | 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| FZ50S5RG3 | 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
| FZ50S5SG1 | 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZ555-3 | 制造商:BACO Controls Inc 功能描述: |
| FZ600R06KF3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C) |
| FZ600R12KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 600A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ600R12KE3_B1 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode |
| FZ600R12KE3B1 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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