參數(shù)資料
型號: FZ50S5G3
廠商: FCT ELECTRONIC GMBH
元件分類: D-微型連接器
英文描述: 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET
封裝: ROHS COMPLIANT
文件頁數(shù): 3/12頁
文件大?。?/td> 1186K
代理商: FZ50S5G3
ALL DIMENSIONS IN MILLIMETERS - VALUES FOR INCHES IN BRACKETS - TECHNICAL DATA SUBJECT TO CHANGE
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DS 10/2007
Stiftsteckverbinder, 25-polig, abgewinkelter Leiterplattenanschluss
(entgegengesetzt), Reihenabstand 2,54 mm, 0,6 mm, Gütestufe 1.
F25P5RG1
Pin connector, 25 contacts, right angled PCB termination (reversed),
spacing 2.54 mm (0.100”), 0.6 mm ( 0.024“), performance class 1:
F25P5RG1
Pin connector, 25 contacts, right angled PCB termination, spacing
2.54 mm (0.100”), 0.6 mm ( 0.024“), performance class 1:
F25P5G1
Stiftsteckverbinder, 25-polig, abgewinkelter Leiterplattenanschluss,
2,54 mm Reihenabstand, 0,6 mm, Gütestufe 1:
F25P5G1
Direction of Right Angled Signal Contacts
Richtung der abgewinkelten Signalkontakte
Standard
Standard
Reverse
Revers
Ordering Example
Bestellbeispiel
Ordering Example
Bestellbeispiel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FZ50S5RG1 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET
FZ50S5RG2 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET
FZ50S5RG3 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET
FZ50S5SG1 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET
FZ50S5SG2 50 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, SOCKET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FZ555-3 制造商:BACO Controls Inc 功能描述:
FZ600R06KF3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 600A I(C)
FZ600R12KE3 功能描述:IGBT 模塊 1200V 600A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ600R12KE3_B1 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode
FZ600R12KE3B1 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: