參數(shù)資料
型號： FZT4403
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： SOT223 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR
中文描述： 進步黨的SOT223硅平面開關晶體管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 24K
代理商： FZT4403
SOT223 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 4 JUNE 1996
%
PARTMARKING DETAIL
FZT4403
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Continuous Collector Current
I
C
-600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1.5
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-40
V
I
C
=-0.1mA
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-40
V
I
C
=-1mA
Emitter Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-0.1mA
Base Cut-off Current
I
BEX
I
CEX
-0.1
μ
A
μ
A
V
CE
=-35V, V
EB(OFF)
=-0.4V
V
CE
=-35V, V
EB(OFF)
=-0.4V
Collector-Emitter
Cut-off Current
-0.1
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.4
-0.75
V
V
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-0.1mA, V
=-1V
I
C
=-1mA, V
CE
=-1V
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V
I
C
=-150mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
=-50mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.75
-0.95
-1.3
V
V
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
30
60
100
100
20
300
Transition Frequency
f
T
200
MHz
Output Capacitance
C
obo
8.5
pF
V
=-10V, f=100KHz
I
E
=0
I
C
=0, f=100kHZ
Input Capacitance
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s.
C
ibo
30
pF
FZT4403
C
C
E
B
3 - 300
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G01BB SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED
G01BC SUBMINATURE/MULTI-FUNCTION/UNBRACKETED
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