參數(shù)資料
型號： FZT549
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： FZT549
SOT223 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 1995
%
PARTMARKING DETAIL
FZT549
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-35
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-2
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-35
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-30
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-10
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=-30V
V
CB
=-30V, T
amb
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-0.1
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.50
-0.75
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.25
V
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-1.0
V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
h
FE
70
100
80
30
300
I
C
=-50mA, V
CE
=-2V
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
=-100mA, V
CE
=-5V,
f =100MHz
Transition Frequency
f
T
100
MHz
Output Capacitance
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMT549 datasheet.
C
obo
10
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
FZT549
C
C
E
B
3 - 191
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PDF描述
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參數(shù)描述
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