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參數(shù)資料
| 型號： | FZT660 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 169K |
| 代理商： | FZT660 |
Page 3 of 2
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
fzt649.lwpPrNC 7/10/98 revB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FZT660A | |
| FZTA63 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223 |
| G0100RR | Special Function Video Processor |
| G105 | SIDAC|113V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL |
| G120 | SIDAC|125V V(BO) MAX|200UA I(S)|DO-204AL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZT660A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| FZT688B | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223 制造商:DIODES 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(b 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-223, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(b |
| FZT688B | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
| FZT688BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZT688BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Gain & Crnt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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