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參數(shù)資料
| 型號： | FZTA42 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-223, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | FZTA42 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 2 NOVEMBER 93
%
FEATURES
*
Suitable for video output stages in TV sets
and switch mode power supplies
*
High breakdown voltage
COMPLIMENTARY TYPE FZTA92
PARTMARKING DETAIL DEVICE TYPE IN FULL
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
B
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
300
V
Collector-Emitter Voltage
300
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Base Current
100
mA
Continuous Collector Current
500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
300
V
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
300
V
I
C
=1mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=200V, I
E
=0
Emitter Cut-Off Current I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=5V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=20mA, I
B
=2mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.9
V
I
C
=20mA, I
B
=2mA
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
25
40
40
I
C
=1mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=30mA, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
50
MHz
I
=10mA, V
CE
=20V
f=20MHz
Output Capacitance
C
obo
6
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.
FZTA42
3 - 302
C
C
E
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| G7S-3A3B-DC24 | |
| G7S-4A2B-DC24 | |
| GA150TD12U | |
| GA71-531-120M | Crystal Oscillator |
| GA71-531-672M | Crystal Oscillator |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FZTA42TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZTA42TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FZTA63 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223 |
| FZTA63TA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FZTA63TC | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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