型號: | GA200TD120U |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 3/7頁 |
文件大小: | 525K |
代理商: | GA200TD120U |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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GN1L3N | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
GN1F4Z-T2 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
GA1F4N-A | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
GS8050T-E6 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
GS8050TB-E6 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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GA200TS60U | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 265A 7-Pin INT-A-PAK |
GA200TS60UPBF | 功能描述:IGBT 模塊 600 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
GA200TS60UX | 功能描述:IGBT 模塊 600 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
GA201 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:THYRISTOR SCR 100V 3PIN TO-18 - Bulk |
GA20-101K | 功能描述:固定電感器 RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |