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參數(shù)資料
| 型號： | GF2524 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|陣| N溝道| 30V的五（巴西）決策支持系統(tǒng)|蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | GF2524 |
Electrical Characteristics
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Q1, Q2
30
—
—
V
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= 0V, V
GS
=
±
20V
Q1, Q2
1.0
—
3.0
±
100
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
Q1, Q2
—
—
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
Q1, Q2
—
—
1
μ
A
On-State Drain Current
(2)
I
D(on)
V
DS
≥
5V, V
GS
= 10V
Q1
Q2
20
30
—
—
—
—
A
V
GS
= 10V, I
D
= 5.8A
V
GS
= 10V, I
D
= 7.8A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 4.7A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 6.3A
Q1
Q2
Q1
Q2
—
—
—
—
23.5
15.5
32.5
20.5
37
18
55
28
Drain-Source
On-State Resistance
(2)
R
DS(on)
m
Forward Transconductance
(2)
g
fs
V
DS
= 15V, I
D
= 5.8A
V
DS
= 15V, I
D
= 7.8A
Q1
Q2
—
—
16
27
—
—
S
Diode Forward Voltage
V
SD
I
S
= 1.7A, V
GS
= 0V
Q1, Q2
—
0.75
1.2
S
Dynamic
Total Gate Charge
Q
g
Q1
Q1
Q2
—
—
8.1
20
11
27
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 5.8A
Gate-Source Charge
Q
gs
Q1
Q2
—
—
2.1
5.8
—
—
nC
Q2
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 10A
Q1
Q2
—
—
2.8
6.3
—
—
Turn-On Delay Time
t
d(on)
Q1
Q2
—
—
7
10
14
20
Rise Time
t
r
V
DD
= 15V, R
L
= 15
,
I
D
≈
1A, V
GEN
=10V,
R
G
= 6
Q1
Q2
—
—
6
10
12
20
ns
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
Q1
Q2
—
—
25
51
40
77
Fall Time
t
f
Q1
Q2
—
—
8
21
16
35
Input Capacitance
C
iss
Q1
Q2
—
—
840
1885
—
—
Output Capacitance
C
oss
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
f = 1.0 MHz
Q1
Q2
—
—
150
325
—
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
Q1
Q2
—
—
80
180
—
—
Notes:
(1) Surface mounted on FR4 board, t
≤
10 sec.
(2) Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%
G
D
S
V
IN
V
DD
V
GS
R
GEN
R
L
V
OUT
DUT
Input, V
IN
t
d(on)
Output, V
OUT
t
on
t
r
t
d(off)
t
off
t
f
INVERTED
90%
10%
10%
90 %
50%
50%
10%
90%
PULSE WIDTH
Switching
Test Circuit
Switching
Waveforms
GF2524
Asymmetric N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GF2918 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.8A I(D) | SO |
| GF2M303 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TSOP |
| GF3443 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TSOP |
| GF4126 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SO |
| GF4410 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GF2524\5B | 功能描述:MOSFET USE 781-SI4824DY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GF260 | 制造商:TAITRON 制造商全稱:TAITRON Components Incorporated 功能描述:0.2A High Voltage Fast Recovery Rectifiers |
| GF265 | 制造商:ELC 功能描述:FUNCTION GENERATOR GF265 |
| GF266 | 制造商:ELC 功能描述:FUNCTION GENERATOR GF266 制造商:ELC 功能描述:FUNCTION GENERATOR, GF266 |
| GF281 | 制造商:TOCOS 制造商全稱:TOCOSAMERICA, INC. 功能描述:28mm Diameter, Single-Turn, Cermet Industrial Panel Controls |
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