- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370317 > GF3443 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TSOP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GF3443 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 4.4A I(D) | TSOP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 20V的五（巴西）直| 4.4AI（四）|的TSOP |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | GF3443 |
Electrical Characteristics
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
V
GS
= 0V, I
D
=
–
250
μ
A
V
DS
= V
GS
, I
D
=
–
250
μ
A
V
DS
= 0V, V
GS
=
±
12V
–
20
—
—
V
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
–
0.6
—
—
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
—
—
±
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
–
20V
V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C
—
—
–
1.0
μ
A
T
J
= 70
°
C
—
—
–
5.0
On-State Drain Current
(1)
I
D(on)
V
DS
≥
–
5V, V
GS
=
–
4.5V
–
15
—
—
A
V
GS
=
–
4.5V, I
D
=
–
4.4A
—
50
65
Drain-Source On-State Resistance
(1)
R
DS(on)
V
GS
=
–
2.7V, I
D
=
–
3.7A
—
65
90
m
V
GS
=
–
2.5V, I
D
=
–
3.5A
—
68
100
Forward Transconductance
(1)
g
fs
V
DS
=
–
10V, I
D
=
–
4.4A
—
12
—
S
Dynamic
Total Gate Charge
Q
g
V
DS
=
–
10V, V
GS
=
–
4.5V
—
9.6
15
Gate-Source Charge
Q
gs
I
D
=
–
4.4A
—
1.4
—
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
—
2.8
—
Turn-On Delay Time
t
d(on)
—
10
50
Rise Time
t
r
V
DD
=
–
10V, R
L
= 10
I
D
≈
–
1A, V
GEN
=
–
4.5V
R
G
= 6
—
25
60
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
—
65
100
ns
Fall Time
t
f
—
68
80
Input Capacitance
C
iss
V
DS
=
–
10V, V
GS
= 0V
—
770
—
Output Capacitance
C
oss
f = 1.0MH
Z
—
210
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
—
140
—
Source-Drain Diode
Maximum Diode Forward Current
I
S
—
—
—
–
1.7
A
Diode Forward Voltage
V
SD
I
S
=
–
1.7A, V
GS
= 0V
—
–
0.75
–
1.2
V
Note:
(1) Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s,
duty cycle
≤
2%
GF3443
P-Channel Logic Level
Enhancement-Mode MOSFET
G
D
S
V
IN
V
DD
V
GEN
R
G
R
D
V
OUT
DUT
Input, V
IN
t
d(on)
Output, V
OUT
t
on
t
r
t
d(off)
t
off
t
f
INVERTED
90%
10%
10%
90 %
50%
50%
10%
90%
PULSE WIDTH
Switching
Test Circuit
Switching
Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GF4126 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SO |
| GF4410 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
| GF4412 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO |
| GF4420 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 12.5A I(D) | SO |
| GF4425 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 11A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GF3443\5B | 功能描述:MOSFET USE 781-SI3443DV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| GF3500LV-00-240-50CC | 功能描述:Thermal Liquid Gap Filler, 2 Part 50cc Cartridge 制造商:bergquist 系列:Gap Filler 3500LV 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:液體填隙料，2 組分 大小/尺寸:50cc 管筒 發(fā)貨信息:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |
| GF3500S35-00-60-400CC | 功能描述:LIQUID GAP FILLER THERMAL CONDUC RoHS:是 類(lèi)別:風(fēng)扇，熱管理 >> 熱潤(rùn)滑脂，環(huán)氧樹(shù)脂 系列:* MSDS 材料安全數(shù)據(jù)表:TC-2810 MSDS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12 系列:- 類(lèi)型:環(huán)氧樹(shù)脂粘合劑，2 件 尺寸/尺寸:1.25 盎司注射器 裝運(yùn)信息:- 其它名稱(chēng):3M958862266214352 |
| GF3500S35-00-60-50cc | 功能描述:導(dǎo)熱接口產(chǎn)品 GAP FILLER 50cc Cartridge RoHS:否 制造商:Panasonic Electronic Components 類(lèi)型:Thermal Graphite Sheets 材料:Graphite Polymer Film 長(zhǎng)度:180 mm 寬度:115 mm 厚度:0.07 mm 工作溫度范圍: |
| GF3500S35-07-60-50CC | 功能描述:LIQUID GAP FILLER THERMAL CONDU RoHS:是 類(lèi)別:風(fēng)扇，熱管理 >> 熱 - 墊，片 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:Apex Precision Power® 使用:12-PowerSIP 形狀:矩形 外形:34.54mm x 18.54mm 厚度:0.002"（0.051mm） 材質(zhì):Kapton® MT 膠合劑:相變化合物 背襯，載體:- 顏色:棕褐 熱電阻系數(shù):- 導(dǎo)熱性:- 其它名稱(chēng):598-1381Q6572299 |
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