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參數資料
| 型號： | GM71S4400CLR-70 |
| 廠商： | LG Corp. |
| 英文描述： | 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1,048,576字× 4位的CMOS動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | GM71S4400CLR-70 |
LG Semicon
GM71C(S)4400C/CL
23
Package Dimension
20 (26) SOJ
Unit: Inches (mm)
0.669(17.00) MAX
0.661(16.80) MIN
0
0
0
0.148(3.76) MAX
0.128(3.25) MIN
0.036(0.91) MAX
0.026(0.66) MIN
TYP
0.050(1.27)
0
0
0.025(0.63) MIN
0.039(1.00) MAX
0.085(2.16) MIN
0.103(2.61) MAX
0
0.008(0.20)
0.021(0. 53) MAX
0.015(0.38) MIN
20 (26) TSOP II
0
0
0.690(17.54) MAX
0.667(16.94) MIN
0.048(1.23) MAX
0.020(0.50) MAX
0.012(0.30) MIN
TYP
0.050(1.27)
0.009(0.23) MAX
0.001(0.03) MIN
0.028(0.70) MAX
0.012(0.30) MIN
0
0
0.009(0.22) MAX
0.041(1.03) MIN
0 ~ 8
o
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM71S4400CLR-80 | 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
| GM71S4400CLT | 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
| GM71C4400CLJ-80 | 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
| GM71C4400CLR-60 | 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
| GM71C4400CLR-70 | 1,048,576 WORDS x 4BIT CMOS DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GM71V17403CLT-6 | 制造商:Hyundai 功能描述:4M X 4 EDO DRAM, 60 ns, PDSO24 |
| GM71V18160CT-6 | 制造商:Hynix Semi 功能描述: |
| GM71VS16163CLT-60 | 制造商:Logical Devices 功能描述: |
| GM71VS18163CLT-6 | 制造商:HYUNDAI 功能描述:1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44 |
| GM71VS18163CLT-60 | 制造商:Hyundai 功能描述: |
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