參數(shù)資料
型號(hào)： GN4L4Z
廠商： NEC Corp.
英文描述： RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
中文描述： 電阻內(nèi)置型PNP晶體管
文件頁數(shù)： 2/22頁
文件大?。?/td> 322K
代理商： GN4L4Z
Data Sheet D16490EJ2V0DS
2
GN4xxx
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
= 0
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
5.0 mA
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
50 mA
I
C
=
5.0 mA, I
B
=
0.25 mA
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
100
μ
A
V
CE
=
0.2 V, I
C
=
5.0 mA
100
nA
DC Current Gain
h
FE1
Note1
-
h
FE2
-
Collector Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.2
V
Low-level Input Voltage
V
IL
Note2
V
High-level Input Voltage
V
IH
V
Input Resistor
R
1
Note3
k
k
Emitter to Base Resistor
R
2
Note 1.
PART NUMBER
h
FE1
TYP.
h
FE2
TYP.
UNIT
MIN.
35
60
85
20
35
135
35
85
85
60
135
135
135
8
35
85
20
35
MAX.
100
195
340
80
100
600
100
340
340
195
600
600
600
50
100
340
80
100
MIN.
80
90
95
80
80
100
80
95
95
90
100
100
100
50
80
95
80
80
MAX.
GN4A4M
GN4F4M
GN4L4M
GN4L3M
GN4L3N
GN4L3Z
GN4A3Q
GN4A4P
GN4F4N
GN4L4L
GN4A4Z
GN4F4Z
GN4L4Z
GN4F3M
GN4F3P
GN4F3R
GN4A4L
GN4L4K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Note 2.
PART NUMBER
V
IL
TYP.
V
IH
TYP.
UNIT
MIN.
MAX.
0.8
0.8
0.8
0.8
0.6
0.5
0.5
0.5
0.6
0.9
0.5
0.5
0.5
0.8
0.5
0.5
0.9
2.0
MIN.
3.0
4.0
5.0
3.0
3.0
1.2
2.0
3.0
3.0
6.0
2.0
3.0
4.0
3.0
2.0
2.0
6.0
8.0
MAX.
GN4A4M
GN4F4M
GN4L4M
GN4L3M
GN4L3N
GN4L3Z
GN4A3Q
GN4A4P
GN4F4N
GN4L4L
GN4A4Z
GN4F4Z
GN4L4Z
GN4F3M
GN4F3P
GN4F3R
GN4A4L
GN4L4K
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GN4F3M RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
GN4F3P RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
GN4F3R RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
GN4F4M RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
GN4F4N RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GN4L4Z-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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