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參數(shù)資料
| 型號： | GP200MHS12 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Half Bridge IGBT Module |
| 中文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | GP200MHS12 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GP200MLS12 | Aluminum Electrolytic Radial Leaded Low Profile Wide Temp Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 25V; Case Size: 12.5x15 mm; Packaging: Bulk |
| GP2010CGGPBR | Demodulator， Other/Special/Miscellaneous |
| GP2010IGGPBR | Demodulator， Other/Special/Miscellaneous |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GP200MHS17 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| GP200MHS18 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Half Bridge IGBT Module |
| GP200MKS12 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:IGBT Chopper Module Preliminary Information |
| GP200MLS12 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| GP200MLS17 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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