型號: | GS1K-L |
廠商: | MICROSEMI CORP |
元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
英文描述: | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
封裝: | SMAJ, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 117K |
代理商: | GS1K-L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
GS8161Z36D-200I | 512K X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
GS8161Z36T-166T | 512K X 36 ZBT SRAM, 7 ns, PQFP100 |
GS8182S18BD-300IT | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
GS8182S18BD-250I | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
GS8182S18BD-300I | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
GS1K-LTP | 功能描述:整流器 800V,1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
GS1K-T | 功能描述:整流器 standard 1.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
GS1K-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
GS1K-T3 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE |
GS1K-TP | 功能描述:整流器 standard 1.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |