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參數資料
| 型號： | GS74104AGJ-12 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 1M X 4 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-32 |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 318K |
| 代理商： | GS74104AGJ-12 |
Write Cycle
Parameter
Symbol
-8
-10
-12
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write cycle time
tWC
8
—
10
—
12
—
ns
Address valid to end of write
tAW
5.5
—
7
—
8
—
ns
Chip enable to end of write
tCW
5.5
—
7
—
8
—
ns
Data set up time
tDW
4
—
5
—
6
—
ns
Data hold time
tDH
0
—
0
—
0
—
ns
Write pulse width
tWP
5.5
—
7
—
8
—
ns
Address set up time
tAS
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (WE)
tWR
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (CE)
tWR1
0
—
0
—
0
—
ns
Output Low Z from end of write
tWLZ
*
3
—
3
—
3
—
ns
Write to output in High Z
tWHZ
*
—
3.5
—
4
—
5
ns
GS74104ATP/J
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 6/2006
7/11
2001, GSI Technology
* These parameters are sampled and are not 100% tested.
t
WC
Address
CE
WE
Data In
OE
Data Out
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WLZ
t
WHZ
D
ATA
VALID
H
IGH
IMPEDANCE
Write Cycle 1: WE control
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS74104AGJ-12I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104AGJ-8 | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104AGJ-8I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104AGP-10 | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104AGP-10I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS74104AGJ-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104AGJ-8 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104AGJ-8I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104AGP-10 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM ASYNC QUAD 3.3V 4MBIT 1MX4 10NS 44TSOP-II - Trays |
| GS74104AGP-10I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM ASYNC QUAD 3.3V 4MBIT 1MX4 10NS 44TSOP-II - Trays |
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