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參數(shù)資料
| 型號： | GS74104ATP-10 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 1M X 4 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 318K |
| 代理商： | GS74104ATP-10 |
t
WC
Address
CE
WE
Data In
OE
Data Out
t
AW
t
WP
t
AS
t
CW
t
WR1
t
DW
t
DH
D
ATA
VALID
H
IGH
IMPEDANCE
GS74104ATP/J
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 6/2006
8/11
2001, GSI Technology
Write Cycle 2: CE control
1
e
B1
D
A
A
y
E
H
E
Q
c
L
G
E
Detail A
A
B
A
Notes:
1. Dimension D& E do not include interlead flash.
2. Dimension B1 does not include dambar protrusion/intrusion.
3. Controlling dimension: inches
Symbol
Dimension in inch
min
nom
—
—
0.026
—
0.105
0.110
0.013
0.017
0.024
0.028
0.006
0.008
0.820
0.824
0.395
0.400
—
0.05
0.430
0.435
0.354
0.366
0.082
—
—
—
Dimension in mm
min
nom
—
—
0.66
—
2.67
2.80
0.33
0.43
0.61
0.71
0.15
0.20
20.83
20.93
10.04
10.16
—
1.27
10.93
11.05
9.00
9.30
2.08
—
max
0.146
—
0.115
0.021
0.032
0.012
0.829
0.405
—
0.440
0.378
—
0.004
max
3.70
—
2.92
0.53
0.81
0.30
21.06
10.28
—
11.17
9.60
—
0.10
A
A1
A2
B
B1
c
D
E
e
H
E
G
E
L
y
—
—
Q
0
o
—
10
o
0
o
—
10
o
32-Pin SOJ, 400 mil
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS74104ATP-10I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-12 | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-12I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8 | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS74104ATP-10I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-12 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
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