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參數(shù)資料
| 型號： | GS74104ATP-12 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 1M X 4 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 318K |
| 代理商： | GS74104ATP-12 |
DC I/O Pin Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage
Current
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
– 1 uA
1 uA
Output Leakage
Current
I
LO
Output High Z
V
OUT
= 0 to V
DD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
I
= –4mA
2.4
—
Output Low Voltage
V
OL
I
= +4mA
—
0.4 V
Power Supply Currents
Parameter
Symbol
Test Conditions
0 to 70°C
–40 to 85°C
8 ns
10 ns
12 ns
8 ns
10 ns
12 ns
Operating
Supply
Current
I
CE
≤
V
All other inputs
≥
V or
≤
V
Min. cycle time
I
= 0 mA
OUT
120 mA
95 mA
85 mA
130 mA
105 mA
95 mA
Standby
Current
I
CE
≥
V
All other inputs
≥
V or
≤
V
Min. cycle time
30 mA
25 mA
22 mA
40 mA
35 mA
32 mA
Standby
Current
I
CE
≥
V - 0.2V
All other inputs
≥
V - 0.2V or
≤
0.2V
DD
10 mA
20 mA
GS74104ATP/J
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 6/2006
4/11
2001, GSI Technology
OH
LO
DD
IL
IH
IL
SB1
IH
IH
IL
SB2
DD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS74104ATP-12I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8 | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8I | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-10 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS74104ATP-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104ATP-8I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104J-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| GS74104J-10I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
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