參數(shù)資料
型號： GS815236
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
中文描述： 16Mb的（為512k × 36Bit）的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（1,600位（為512k × 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器））
文件頁數(shù)： 19/38頁
文件大?。?/td> 824K
代理商： GS815236
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/38
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS815218/36/72B-225/200/180/166/150/133
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tStH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2
C
& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
Write Cycle Timing
E
1
tS tH
E
1
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
G
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
Hi-Z
tS tH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS815272 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
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GS8152Z36 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS8152Z72 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM)
GS816018 16Mb（1M x 18Bit）Sync Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計數(shù)器))
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參數(shù)描述
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