參數(shù)資料
型號(hào)： GS8162Z18D-250I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
中文描述： 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 19/38頁(yè)
文件大?。?/td> 838K
代理商： GS8162Z18D-250I
Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS8162Z18(B/D)/GS8162Z36(B/D)/GS8162Z72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.21 11/2004
19/38
1999, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
V
= 0 to V
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT, ZQ Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8162Z36B-133 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8162Z36B-133I 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8162Z36B-150 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8162Z36B-150I 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
GS8162Z36B-166 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
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參數(shù)描述
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