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參數(shù)資料
| 型號： | GS8321E18AD-333IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | CACHE SRAM, PBGA165 |
| 封裝： | FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 7/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 736K |
| 代理商： | GS8321E18AD-333IT |
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DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 u
A
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
GS8321E18/32/36AD-400/375/333/250/200/150
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00a 2/2011
15/32
2010, GSI Technology
Preliminary
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832236AB-150VT | 1M X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| GS8342D11BD-500IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-500 | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D11BD-550IT | 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8342D37BD-300I | 1M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321E18AD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk |
| GS8321E18AGD-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FPBGA - Bulk |
| GS8321E18AGD-375I | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FPBGA - Bulk |
| GS8321E18E | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321E18E-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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