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參數(shù)資料
| 型號： | GS8324Z18B-166IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 6/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 1157K |
| 代理商： | GS8324Z18B-166IT |
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Rev: 1.00 10/2001
14/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
GS8324Z18(B/C)/GS8324Z36(B/C)/GS8324Z72(C)
Byte Write Truth Table
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC, and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x36 version.
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Read
H
L
H
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8324Z36B-150IT | 1M X 36 ZBT SRAM, 10 ns, PBGA119 |
| GS8324Z36GB-250IT | 1M X 36 ZBT SRAM, 6 ns, PBGA119 |
| GS8324Z72GC-133IT | 512K X 72 ZBT SRAM, 10 ns, PBGA209 |
| GS840E18GB-100T | 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PBGA119 |
| GS840E18GB-180 | 256K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8324Z36B-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 10NS/4NS 119FBGA - Trays |
| GS8324Z36B-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS8324Z72C200 | 制造商:G.S.I. 功能描述: |
| GS8342D06BD-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8342D06BD-500 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
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