參數(shù)資料
型號(hào): GS840E18
廠商: GSI TECHNOLOGY
英文描述: 4Mb(256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位(256K x 18位)同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器))
中文描述: 4Mb的(256 × 18位)同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器(4分位(256 × 18位)同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器))
文件頁(yè)數(shù): 24/31頁(yè)
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代理商: GS840E18
Rev: 2.05 6/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
24/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
Pipelined DCD Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
E
1
E
3
G
E
2
WR1
Q1a
D1
a
Q2a
Q2b
Q2
C
Q2d
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tS tH
tS
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tStH
tKH
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
DQ
A
- DQ
D
tKL
tKC
tS
tH
tH
Single Write
ADSP is blocked by E
1
inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
B
A
- B
D
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
RD1
WR1
RD2
tS tH
A0-An
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PDF描述
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參數(shù)描述
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