- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383050 > GS840E32 (GSI TECHNOLOGY) 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840E32 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（128K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（4分位（128K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/31頁(yè) |
| 文件大小： | 629K |
| 代理商： | GS840E32 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)當(dāng)前第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)
Rev: 2.05 6/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
17/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
.
GS840E18/32/36T/B-180/166/150/100
AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
3.
4.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
.
Device is deselected as defined by the Truth Table.
Parameter
Conditions
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
2.3V
0.2V
1V/ns
1.25V
1.25V
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
-1uA
1uA
ZZ Input Current
I
INZZ
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
= - 4mA, V
DDQ
=2.375V
I
OH
= - 4mA, V
DDQ
=3.135V
I
OL
= 4mA
-1uA
-1uA
1uA
300uA
Mode Pin Input Current
I
INM
-300uA
-1uA
1uA
1uA
Output Leakage Current
I
OL
-1uA
1uA
Output High Voltage
V
OH
V
OH
V
OL
1.7V
Output High Voltage
2.4V
Output Low Voltage
0.4V
DQ
VT=1.25V
50
30pF
*
DQ
2.5V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840E36 | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840F18A | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840F32A | 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840F36A | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840FH18A | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS840E32AB-100 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-100I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-150 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-150I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。