參數(shù)資料
型號(hào)： GS840H18
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
中文描述： 4Mb的（256 × 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（4分位（256 × 18位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器））
文件頁數(shù)： 18/31頁
文件大小： 626K
代理商： GS840H18
Rev: 2.04 6/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
18/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS840H18/32/36T/B-180/166/150/100
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Symbol
-180
-166
-150
-100
0 to
70°C
-40 to
85°C
0 to
70°C
-40 to
85°C
0 to
70°C
-40 to
85°C
0 to
70°C
-40 to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
I
DD
Pipeline
I
DD
Flow-Thru
I
SB
Pipeline
I
SB
Flow-Thru
I
DD
Pipeline
I
DD
Flow-Thru
330mA 340mA 310mA 320mA 275mA 285mA 190mA 200mA
190mA 200mA 190mA 200mA 190mA 200mA 140mA 150mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
- 0.2V
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
30mA
40mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
120mA 130mA 110mA 120mA 105mA 115mA
80mA
90mA
80mA
90mA
80mA
90mA
80mA
90mA
65mA
75mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS840H36 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
GS8644Z18E-133I CONN 2MM SKT 22POS THRU-BRD SMD
GS8644Z18E-150 CONN 2MM SKT 24POS THRU-BRD SMD
GS8644Z18E-150I CONN 2MM SKT 24POS THRU-BRD SMD
GS8644Z18E-166 CONN 2MM SKT 26POS THRU-BRD SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS840H18AB-100 制造商:GSI Technology 功能描述:2.5 OR 3.3V - Trays
GS840H18AB-100I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs
GS840H18AB-150 制造商:GSI Technology 功能描述:2.5 OR 3.3V - Trays
GS840H18AB-150I 制造商:GSI Technology 功能描述:2.5 OR 3.3V - Trays
GS840H18AB-166 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs
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