參數(shù)資料
型號(hào)： GS8640E32T-167V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 32 CACHE SRAM, 8 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 18/23頁(yè)
文件大?。?/td> 601K
代理商： GS8640E32T-167V
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
18/23
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8640V18T-250 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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GS8640V18GT-167I 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640V18GT-200 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640V18GT-200I 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS8640E32T-200IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E32T-200V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E32T-250IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E32T-250V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E36GT-167IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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