參數(shù)資料
型號(hào)： GS8640E36GT-167V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 36 CACHE SRAM, 8 ns, PQFP100
封裝： ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 5/23頁(yè)
文件大?。?/td> 601K
代理商： GS8640E36GT-167V
TQFP Pin Description
Symbol
Type
Description
A
0
, A
1
I
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
A
I
Address Inputs
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
I/O
Data Input and Output pins
NC
No Connect
BW
I
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
B
A
, B
B
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
Data I/Os; active low
B
C
, B
D
I
Byte Write Enable for DQ
C
, DQ
D
Data I/Os; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
GW
I
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
E
1
, E
3
I
Chip Enable; active low
E
2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
5/23
2004, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8640E36GT-200IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E36GT-200V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E36GT-250IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E36GT-250V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E36T-167IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8640E36GT-200IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E36GT-200V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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