參數(shù)資料
型號(hào)： GS8640E36T-250V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 17/23頁(yè)
文件大小： 601K
代理商： GS8640E36T-250V
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
17/23
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8640E18GT-167IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18GT-167V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18GT-200IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18GT-200V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18GT-250IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8640EV18T-200 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST DCD - Trays
GS8640EV18T-300 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST DCD - Trays
GS8640EV18T-300I 制造商:GSI Technology 功能描述:4M X 18 (72 MEG) SYNCH BURST DCD - Trays
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GS8640FZ18GT-6.5 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 3.3V 72MBIT 4MX18 6.5NS 100TQFP - Trays
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