- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385326 > GS8640V32GT-300I (GSI TECHNOLOGY) 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8640V32GT-300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 18/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 452K |
| 代理商： | GS8640V32GT-300I |
GS8640V18/32/36T-300/250/200/167
Product Preview
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
18/23
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8640V32T-167 | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-167I | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-200 | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-200I | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-250 | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8640V32T-167 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-167I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8640V32T-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。