參數(shù)資料
型號(hào)： GS8642ZV36E-167IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165
封裝： 17 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 14/37頁(yè)
文件大?。?/td> 1118K
代理商： GS8642ZV36E-167IT
Product Preview
GS8642ZV18(B/E)/GS8642ZV36(B/E)/GS8642ZV72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
21/37
2004, GSI Technology
Notes:
1. IDD and IDDQ apply to any combination of VDD and VDDQ operation.
2. All parameters listed are worst case scenario.
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-300
-250
-200
-167
Unit
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
(x72)
Pipeline
IDD
IDDQ
520
70
540
70
460
60
480
60
385
50
405
50
340
40
360
40
mA
Flow
Through
IDD
IDDQ
375
50
385
50
330
40
340
40
285
30
295
30
270
30
280
30
mA
(x32/
x36)
Pipeline
IDD
IDDQ
420
60
440
60
360
50
380
50
310
40
330
40
270
35
290
35
mA
Flow
Through
IDD
IDDQ
300
30
320
30
255
25
275
25
230
20
250
20
220
20
240
20
mA
(x18)
Pipeline
IDD
IDDQ
370
30
390
30
315
25
335
25
270
20
290
20
240
20
260
20
mA
Flow
Through
IDD
IDDQ
270
15
290
15
230
15
250
15
205
15
225
15
195
15
215
15
mA
Standby
Current
ZZ
≥ VDD – 0.2 V
—
Pipeline
ISB
100
120
100
120
100
120
100
120
mA
Flow
Through
ISB
100
120
100
120
100
120
100
120
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
—
Pipeline
IDD
150
165
140
155
130
146
125
140
mA
Flow
Through
IDD
135
150
125
140
120
135
120
135
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS8662Q18BGD-357IT 4M X 18 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165
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參數(shù)描述
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