參數(shù)資料
型號(hào)： GS8644V18E-150I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 33/40頁(yè)
文件大?。?/td> 843K
代理商： GS8644V18E-150I
Product Preview
GS8644V18(B/E)/GS8644V36(B/E)/GS8644V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
33/40
2003, GSI Technology
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
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PDF描述
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