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參數資料
| 型號： | GS8662S36BD-300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 36 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, MO-216CAB-1, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 11/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 748K |
| 代理商： | GS8662S36BD-300I |
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Operating Currents
Parameter
Symbol
Test Conditions
-400
-350
-333
-300
-250
Notes
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating Current (x36): DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
940
950
885
890
810
820
735
745
730
740
2, 3
Operating Current (x18): DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
735
745
695
705
630
640
580
590
500
510
2, 3
Operating Current (x9): DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
735
745
695
705
630
640
580
590
500
510
2, 3
Operating Current (x8): DDR
IDD
VDD = Max, IOUT = 0 mA
Cycle Time
≥ tKHKH Min
735
745
695
705
630
640
580
590
500
510
2, 3
Standby Current (NOP): DDR
ISB1
Device deselected,
IOUT = 0 mA, f = Max,
All Inputs
≤ 0.2 V or ≥ VDD – 0.2 V
260
270
250
260
240
250
230
240
215
225
2, 4
Notes:
1.
Power measured with output pins floating.
2.
Minimum cycle, IOUT = 0 mA
3.
Operating current is calculated with 50% read cycles and 50% write cycles.
4.
Standby Current is only after all pending read and write burst operations are completed.
GS8662S08/09/18/36BD-400/350/333/300/250
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 3/2011
19/37
2011, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S36BGD-300 | 2M X 36 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS88036T-100T | 256K X 36 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
| GS88037CT-250I | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.3 ns, PQFP100 |
| GS880E18GT-66I | 512K X 18 CACHE SRAM, 18 ns, PQFP100 |
| GS880F18T-14T | 512K X 18 CACHE SRAM, 14 ns, PQFP100 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8662S36BD-400 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS8662S36E-167 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S36E-167I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S36E-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S36E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
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