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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS88036 |
| 廠(chǎng)商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 8Mb（256K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 8MB的（256 × 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（800萬(wàn)位（256K × 36位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 377K |
| 代理商： | GS88036 |
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Rev: 1.11 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
13/25
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS88018/32/36T-11/11.5/100/80/66
AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
3.
4.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as specified with output loading as shown in
Fig. 1
unless otherwise noted.
Output Load 2 for t
LZ
, t
HZ
, t
OLZ
and t
OHZ
Device is deselected as defined by the Truth Table.
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Output load
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Mn
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
INZZ
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable,
V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
= –8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
= –8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–1 uA
–1 uA
1 uA
300 uA
Mode Pin Input Current
I
INM
–300 uA
–1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
V
OH
V
OL
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF
*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF
*
*Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880E36 | 8Mb（256K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS880E18 | 8Mb（512K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（512K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS880E32 | 8Mb（256K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS880F18 | 8Mb（512K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（512K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS880F36 | 8Mb（256K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88036AT-133 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88036AT-133I | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88036AT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88036AT-150I | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS88036AT-166 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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