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參數(shù)資料
| 型號： | GS88037CT-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.3 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 5/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 691K |
| 代理商： | GS88037CT-250I |
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-333
-300
-250
-200
Unit
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
(x36)
Pipeline
IDD
IDDQ
240
40
260
40
225
35
245
35
195
30
215
30
170
25
190
25
mA
Standby
Current
ZZ
≥ VDD – 0.2 V
—
Pipeline
ISB
25
45
25
45
25
45
25
45
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
—
Pipeline
IDD
70
90
65
85
65
85
65
85
mA
GS88037CT-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2010
13/19
2008, GSI Technology
Notes:
1. IDD and IDDQ apply to any combination of VDD3, VDD2, VDDQ3, and VDDQ2 operation.
2. All parameters listed are worst case scenario.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880E18GT-66I | 512K X 18 CACHE SRAM, 18 ns, PQFP100 |
| GS880F18T-14T | 512K X 18 CACHE SRAM, 14 ns, PQFP100 |
| GS880Z18AGT-133I | 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| GS88136T-11.5IT | 256K X 36 CACHE SRAM, 11.5 ns, PQFP100 |
| GS881E36BT-150T | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS880E1 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:217-585 - Bulk |
| GS880E18AT | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS880E18AT-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS880E18AT-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS880E18AT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
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