參數(shù)資料
型號(hào)： GS88136BGD-200I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 3/38頁(yè)
文件大小： 1304K
代理商： GS88136BGD-200I
GS88118B(T/D)/GS88132B(T/D)/GS88136B(T/D)
Rev: 1.06a 2/2008
11/38
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs, BA, BB, BC and/or BD.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x32 and x36 versions.
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Write No Bytes
H
L
H
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
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PDF描述
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