參數(shù)資料
型號(hào)： GS88136CD-333IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 9/37頁(yè)
文件大小： 1286K
代理商： GS88136CD-333IT
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
GS88118C(T/D)/GS88132C(T/D)/GS88136C(T/D)
Rev: 1.01 6/2010
17/37
2008, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
DQ
VDDQ/2
50
Ω
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS88136CT-250V CACHE SRAM, PQFP100
GS881E18AD-133 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AD-133I 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AD-133IT 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AD-133T 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS88136CGT-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays
GS88136T-100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM
GS88136T-100I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM
GS88136T-11 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM
GS88136T-11.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM
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