參數(shù)資料
型號(hào)： GS88136T-11.5IT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 256K X 36 CACHE SRAM, 11.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 6/33頁(yè)
文件大?。?/td> 463K
代理商： GS88136T-11.5IT
Rev: 1.11 9/2000
14/33
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
GS88118/36T-11/11.5/100/80/66
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.
3. Output Load 2 for tLZ, tHZ, tOLZ and tOHZ
4. Device is deselected as defined by the Truth Table.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
2.3 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
1.25 V
Output reference level
1.25 V
Output load
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IINZZ
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ V
IN ≤ V
IH
–1 uA
1 uA
300 uA
Mode Pin Input Current
IINM
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ V
IN ≤ V
IL
–300 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
DQ
VT = 1.25 V
50
30pF*
DQ
2.5 V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF*
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS881E18BD-200 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS881E18BD-200I 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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