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您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄173639 > GS881E32AD-150IT (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs PDF資料下載

參數(shù)資料

型號：	GS881E32AD-150IT
廠商：	GSI TECHNOLOGY
元件分類：	SRAM
英文描述：	512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述：	256K X 32 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝：	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)：	13/36頁
文件大?。?/td>	913K
代理商：	GS881E32AD-150IT

GS881E18(T/D)/GS881E32A(D)/GS881E36A(T/D)

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

Rev: 1.04 3/2005

20/36

2001, GSI Technology

Notes:

1. These parameters are sampled and are not 100% tested

2. ZZ is an asynchronous signal. However, In order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold

times as specified above.

AC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

-250

-225

-200

-166

-150

-133

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max Min Max Min Max

Pipeline

Clock Cycle Time

tKC

4.0

—

4.4

—

5.0

—

6.0

—

6.7

—

7.5

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

2.5

—

2.7

—

3.0

—

3.4

—

3.8

—

4.0

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ1

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Setup time

tS

1.2

—

1.3

—

1.4

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.2

—

0.3

—

0.4

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

ns

Flow

Through

Clock Cycle Time

tKC

5.5

—

6.0

—

6.5

—

7.0

—

7.5

—

8.5

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

5.5

—

6.0

—

6.5

—

7.0

—

7.5

—

8.5

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ1

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

ns

Setup time

tS

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.5

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

ns

Clock HIGH Time

tKH

1.3

—

1.3

—

1.3

—

1.3

—

1.5

—

1.7

—

ns

Clock LOW Time

tKL

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.7

—

2

—

ns

Clock to Output in

High-Z

tHZ1

1.5

2.3

1.5

2.5

1.5

3.0

1.5

3.0

1.5

3.0

1.5

3.0

ns

G to Output Valid

tOE

—

2.3

—

2.5

—

3.2

—

3.5

—

3.8

—

4.0

ns

G to output in Low-Z

tOLZ1

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

ns

G to output in High-Z

tOHZ1

—

2.3

—

2.5

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

ns

ZZ setup time

tZZS2

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

ns

ZZ hold time

tZZH2

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

ns

ZZ recovery

tZZR

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

ns

相關(guān)PDF資料	PDF描述
GS881E32AD-150T	512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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GS881E32AD-166I	512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E32AD-166IT	512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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