- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄299163 > GS881E36BT-200 (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數資料
| 型號： | GS881E36BT-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 7/39頁 |
| 文件大小： | 815K |
| 代理商： | GS881E36BT-200 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04a 3/2009
15/39
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Simplified State Diagram with G
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
WR
R
W
R
X
CR
R
CW
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1. The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
2. Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
3. Transitions shown in gray tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E36BT-200I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-250 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-250I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-300 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-300I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS881E36BT-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-200V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E36BT-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。