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參數(shù)資料
| 型號： | GS88218BGB-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 35/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 1164K |
| 代理商： | GS88218BGB-200V |
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GS88218/36B(B/D)-xxxV
Rev: 1.04 6/2007
9/35
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Notes:
1. All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs, BA, BB, BC and/or BD.
2. Byte Write Enable inputs BA, BB, BC and/or BD may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3. All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4. Bytes “C” and “D” are only available on the x32 and x36 versions.
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
BA
BB
BC
BD
Notes
Read
H
X
1
Write No Bytes
H
L
H
1
Write byte a
H
L
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
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