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參數(shù)資料
| 型號： | GS88236BGB-150V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FPBGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 4/35頁 |
| 文件大小： | 1164K |
| 代理商： | GS88236BGB-150V |
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GS88218/36B(B/D)-xxxV
Rev: 1.04 6/2007
12/35
2002, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Simplified State Diagram with G
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
WR
R
W
R
X
CR
R
CW
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1. The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
2. Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
3. Transitions shown in grey tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
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PDF描述 |
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