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參數(shù)資料
| 型號： | GS882V37BB |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K × 36 9Mb以上SCD的/雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 22/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 727K |
| 代理商： | GS882V37BB |
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JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
V
IHJ
V
ILJ
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
0.6 * V
DD
Max.
V
DD
+0.3
0.3 * V
DD
Unit Notes
1.8 V Test Port Input High Voltage
V
1
1.8 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
GS882V37BB/D-360/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 3/2005
22/27
2003, GSI Technology
JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 0.20
0.2 V
1 V/ns
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
DDQ
/2
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS882Z18AB | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS882Z18AB-133 | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS882Z18AB-133I | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS882Z18AB-150 | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS882Z18AB-150I | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS882V37BB-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS882V37BB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BGB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS882V37BGB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
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