型號: | GT50J102 |
元件分類: | 開關(guān) |
英文描述: | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
文件頁數(shù): | 3/7頁 |
文件大小: | 525K |
代理商: | GT50J102 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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GP250MHB06S | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
GA75DA60U | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
GS9012E | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
GS8550TB/E7 | TOGGLE SWITCH, DP3T, MOMENTARY, 4A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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GT50J102(Q) | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT 600V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
GT50J121 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
GT50J121(Q) | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/50A DIS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
GT50J121_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
GT50J122 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Current Resonance Inverter Switching Application |