參數(shù)資料
型號： HAF1004
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.6 to 4.8; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
中文描述： 硅P通道MOS FET的電源開關(guān)系列
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： HAF1004
HAF1004(L), HAF1004(S)
Rev.5.00, Apr.29.2003, page 7 of 10
–20
–4
–8
–12
–16
0
0.0001
G
G
Gate to Source Voltage vs.
Shutdown Time of Load-Short Test
0.1
Shutdown Time of Lord-Short Test
Pw (S)
200
180
160
140
120
0
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
S
100
–2
–4
–6
–8
–10
I = –0.5 A
Shutdown Case Temperature vs.
Gate to Source Voltage
0.001
0.01
–24V
V = –16 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 m
100 m
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =PW
T
θ
ch – c(t) =
γ
s (t)
θ
ch – c
θ
ch – c = 6.25C/W, Tc = 25C
Tc = 25C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Pulse Width PW (S)
N
γ
s
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述
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HAF1009L Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
HAF1009S Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching
HAF2012L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262VAR
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