參數(shù)資料
型號(hào)： HAT1065T
廠商： Renesas Technology Corp.
元件分類： 靜電保護(hù)器
英文描述： Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes, SOD323 (UMD2; I-IEIA; URP), Tape reel SMD
中文描述： 硅P通道MOS FET的高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： HAT1065T
REJ03G0161-0200 Rev.2.00 Aug 06, 2007
Page 1 of 3
HAT1065T
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G0161-0200
Rev.2.00
Aug 06, 2007
Features
Low on-resistance
Capable of –4 V gate drive
High density mounting
Outline
RENESAS Package code: PTSP0008JB-B
(Package name:
TSSOP-8 <
TTP-8DV> )
G
D
S
G
D
S
MOS1
MOS2
3
4
1
5
8
6
1, 8 Drain
3, 6 Source
4, 5 Gate
2, 7 NC
1234
8765
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
Item
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
Pch
Note2
Pch
Note3
Tch
Tstg
Ratings
–200
±
15
–0.25
–1
–0.25
1
1.5
150
–55 to +150
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Channel dissipation
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. 1 Drive operation ; When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10 s
3. 2 Drive operation ; When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10 s
Note1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT1065T-EL-E Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes, SOD523 (SC-79), Tape reel SMD
HAT1110R Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT1110R-EL-E Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT1111C Silicon P Channel MOS FET Power Switching
HAT1111C-EL-E Silicon P Channel MOS FET Power Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT1065T-EL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT1069C 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOSFET Power Switching
HAT1069C-EL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 4A 6-Pin CMFPAK T/R
HAT1072H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 40A 5LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT1072H_05 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*