參數(shù)資料
型號(hào)： HAT1126RJ-EL-E
廠(chǎng)商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道功率MOS FET的高速電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 121K
代理商： HAT1126RJ-EL-E
HAT1126R, HAT1126RJ
Rev.1.00 Sep. 10, 2004, page 6 of 7
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
-10 V
R
L
V
= -10 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
Rg
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Switching Time Waveform
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
-15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
E = 1
I
2
V
V - V
DSS
DD
2
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