- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371770 > HAT2166H (Renesas Technology Corp.) Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HAT2166H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應管電源開關 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | HAT2166H |
HAT2166H
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 7 of 10
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E
AR
= 1
I
AP
2
2
V
V - V
DSS
DD
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
100
80
60
40
20
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I = 25 A
V = 15 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
5 V
V = 0
10 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2168H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAT2166H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2167H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2167H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2167N | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。