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參數(shù)資料
| 型號： | HCT801 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 90V V(BR)DSS | LLCC |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|一對|互補(bǔ)| 90V的五（巴西）決策支持系統(tǒng)| LLCC |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | HCT801 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HCT802TXV | 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| HCT810 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 10MA I(D) | LLCC |
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