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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HFA1145IBZ |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/13頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP CFA 330MHZ LP 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 98 |
| 應(yīng)用： | 電流反饋 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| -3db帶寬： | 330MHz |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 2100 V/µs |
| 電流 - 電源： | 5.8mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 60mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 9 V ~ 11 V，±4.5 V ~ 5.5 V |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1234 (CN2011-ZH PDF) |
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12
FN3955.5
June 1, 2006
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
59 mils x 59 mils x 19 mils
1500
μm x 1500μm x 483μm
METALLIZATION:
Type: Metal 1: AICu(2%)/TiW
Thickness: Metal 1: 8k
±0.4k
Type: Metal 2: AICu(2%)
Thickness: Metal 2: 16k
±0.8k
PASSIVATION:
Type: Nitride
Thickness: 4k
±0.5k
TRANSISTOR COUNT:
75
SUBSTRATE POTENTIAL (Powered Up):
Floating (Recommend Connection to V-)
Metallization Mask Layout
HFA1145
V-
OPTIONAL GND (NOTE)
OUT
+IN
-IN
V+
NOTE: This pad is not bonded out on packaged units. Die users may set a GND reference, via this pad, to ensure the TTL compatibility
of the DIS input when using asymmetrical supplies (e.g. V+ = 10V, V- = 0V). See the “Application Information” section for details.
DISABLE
HFA1145
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