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參數(shù)資料
| 型號： | HFA25TB60S |
| 英文描述： | 600V 25A HEXFRED Discrete Diode in a D2-Pak (HEXFRED) package |
| 中文描述： | 600V的第25A HEXFRED二極分立二極管一名D2級，白（HEXFRED二極）封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | HFA25TB60S |
HFA25TB60S
Bulletin PD-20616 rev. A 12/00
2
Parameter
Cathode Anode Breakdown Voltage
Min. Typ. Max. Units
Test Conditions
600
–––
–––
V
I
R
= 100μA
–––
1.3
1.7
I
F
= 25A
–––
1.5
2.0
V
I
F
= 50A
–––
1.3
1.7
I
F
= 25A, T
J
= 125°C
–––
1.5
20
V
R
= V
R
Rated
–––
600 2000
T
J
= 125°C, V
R
= 0.8 x V
R
Rated
D
Rated
–––
55
100
pF
V
R
= 200V
Measured lead to lead 5mm from
package body
V
BR
C
T
Junction Capacitance
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
S
Series Inductance
–––
8.0
–––
nH
See Fig. 3
See Fig. 2
See Fig. 1
V
FM
Max Forward Voltage
μA
Max Reverse Leakage Current
I
RM
Parameter
Reverse Recovery Time
See Fig. 5 & 6
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
–––
17
–––
I
F
= 1.0A, di
f
/dt = 200A/μs, V
R
= 30V
–––
28
42
ns
T
J
= 25°C
–––
38
57
T
J
= 125°C
–––
2.9
5.2
T
J
= 25°C
–––
3.7
6.7
T
J
= 125°C
–––
40
60
T
J
= 25°C
–––
70
105
T
J
= 125°C
–––
280
–––
T
J
= 25°C
–––
235
–––
T
J
= 125°C
t
rr
t
rr1
t
rr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
di
(rec)M
/dt1
di
(rec)M
/dt2
I
F
= 4.0A
Peak Recovery Current
V
R
= 200V
Reverse Recovery Charge
See Fig. 7
di
f
/dt = 200A/μs
Peak Rate of Fall of Recovery Current
During t
See Fig. 8
Dynamic Recovery Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
A/μs
nC
A
Parameter
Min.
––––
––––
––––
––––
––––
Typ.
––––
––––
––––
2.0
0.07
Max.
300
1.0
80
––––
––––
Units
°C
T
lead
R
thJC
R
thJA
Wt
!
Lead Temperature
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Weight
"
g
(oz)
Thermal - Mechanical Characteristics
K/W
!
0.063 in. from Case (1.6mm) for 10 sec
"
Typical Socket Mount
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