參數(shù)資料
型號： HFA3046B96
英文描述： TRANSISTOR | BJT | ARRAY | COMM EMITTER | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SO
中文描述： 晶體管|晶體管|陣|通訊發(fā)射器| 12V的五（巴西）總裁| 40MA一（c）|蘇
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 403K
代理商： HFA3046B96
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PDF描述
HFA3096B96 TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SO
HFA30PA60C 600V 30A HEXFRED Common Cathode Diode in a TO-247AC package
HFA30PB120 1200V 30A HEXFRED Discrete Diode in a TO-247 (2 LEAD) package
HFA30TA60CS 600V 30A HEXFRED Common Cathode Diode in a D2-Pak (HEXFRED) package
HFA3127B96 TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HFA3046BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3046BZ96 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
HFA3048B WAF 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HFA3096 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3096B 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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